随着通信技术的快速发展,单一频段的通信系统已经无法满足现代通信的需求。通信设备的小型化和集成化要求通信系统能够独立对多个频段进行扫描,最大限度的完成数据传送,所以迫切需要一种可以工作在不同频段的微波调谐器件来满足通信系统的需要。同时,雷达通信系统和大功率通信干扰系统中也出现了各种新型高频、高耐压电子设备,这些设备的突出特点就是工作电压较大,有时还具有较大的工作电流。所以,应用于大功率电路中的电子元器件必须有较高的耐压值以及较大的功率承载能力。基于宽频带和大功率通信的需求,研究高耐压微波调谐器件就显得尤为重要。本论文通过研究制备工艺条件对钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜变容管漏电流特性的影响,研制了高耐压、高可调的BST薄膜介质变容管,研究了BST薄膜变容管高频性能,为BST薄膜介质变容管在高频大功率电路中的应用打下了基础。主要研究内容和结果如下:1.通过固相烧结法制备了掺杂Mn2+的BST陶瓷溅射靶材。烧结之前加入摩尔含量为2%的乙酸锰(C4H6MnO4)进行Mn2+掺杂,Mn2+的受主掺杂可以中和自由电子,降低自由电子浓度,由此降低薄膜的漏电流和介电损耗度,提高BST薄膜变容管的耐压强度。2.使用射频磁控溅射系统和微细加工工艺,在不同基片温度、溅射气压、和氧氩流量比等条件下制备BST薄膜变容管,优化相关工艺参数,制备高耐压、高可调的BST薄膜变容管。在最佳工艺条件下制备的BST薄膜变容管在外加电场为2000kV/cm时,可调达到了53.7%,而且具有良好的频率稳定性,在外加电场为3000kV/cm时漏电流密度不大于1.0×10-4A/cm2,耐压强度达到了140V左右。3.采用矢量网络分析仪,通过单端口和双端口测试方法对变容管高频S参数进行测试,提取变容管的电容值和Q值。由于寄生参数影响,变容管的电容值随着频率增大有所增加,Q值随着频率增大而减小,在4GHz时约为2,高频时Q值急剧减小是由变容管上下电极的电导损耗引起的。