随着科技的不断发展,电子元件的小型化和多功能化越来越受到人们的重视。相比传统的集成电路,纳米材料构成的电子元件集成度更高、功耗更小,在量子尺寸效应下更有其他一些新的优异的物理和光学性质。其中以石墨烯、Mo S2等材料被普遍认为是下一代纳电子器件比较合适的材料之一。Mo S2是一种典型的过渡族金属二维化合物,具有类石墨烯的层状结构,但是相比于零带隙的石墨烯,单层Mo S2有1.85e V左右的直接带隙。由于价带的顶端到导带的底端的激子跃迁使得Mo S2拥有光致发光的特性。Mo S2制成的场效应管载流子迁移率可以达到200cm2V-1s-1,电流开关比达到108,超低待机功率等性能使其成为下一代纳电子光器件的热门材料之一。在本文中,基于密度泛函理论的第一性原理计算,我们研究了少层的Mo S2和Mo S2纳米管的电子结构和光学性质。本文主要内容如下:第一章.主要介绍了纳米结构、纳米材料、Mo S2及其相关材料光电性质的研究现状。第二章.主要介绍了密度泛函理论、光吸收基本理论。第三章.研究了少层Mo S2体系的电子结构及介电函数谱,垂直于c轴方向的介电函数虚部图的吸收峰位置几乎不太变化,而平行于c轴介电函数的虚部图中随着层数的减少谱线向频率增高的方向移动。而掺杂了Li原子后的体系电荷分布转移和介电函数图都发生了明显变化,通过分析解释了其后的物理机制。第四章.研究了单壁Mo S2纳米管热稳定性和可能存在的最小的Mo S2纳米管。与Mo S2团簇形成能的对比发现,扶手型(4,4)管和直径大于等于(5,5)管的Mo S2纳米管是可能存在的稳定结构的管,并且研究了这些Mo S2纳米管的能带结构和光学性质。第五章.对本文研究工作进行了总结和展望。