近年来,拓扑绝缘体的发现引起了人们的广泛关注。拓扑绝缘体是一种表现为体内存在能隙的绝缘态,而表面却是没有能隙的金属态的体系,受到时间反演对称性的保护。随着拓扑绝缘体的发现,科学家们预言或证实了许多新的物理现象。例如,当拓扑绝缘体与超导体或铁磁体相接触时,它的时间反演对称性被破坏,并且由于邻近效应,拓扑绝缘体与之相接触的表面会产生超导电性或者铁磁性,从而改变其输运性质。本文使用基于扩展的Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程的理论方法,研究了基于拓扑绝缘体的由铁磁绝缘体和超导体所构成的拓扑超导结的自旋输运性质。第一、研究了基于狭窄的二维拓扑绝缘体的铁磁绝缘体／S-波超导体／铁磁绝缘体的拓扑超导结的自旋输运性质和对自旋纠缠对的操控。结果表明,当偏置电压和两个铁磁绝缘体的磁交换能调至合适值时,在能量窗内,某一自旋取向的非局域Andreev反射几率幅可以达到100%,而另一种反向自旋取向的非局域Andreev反射被完全抑制,这意味着我们可以获得纯某种自旋的纠缠电子对。所以,此结构可以在实验上用于产生和探测自旋纠缠电子对。另外,在反平行磁构型下,位于能量窗内的非局域Andreev反射几率为0,这意味着具有100%隧穿磁致电阻幅的高磁储存效率。这些结果可以通过实验上测量隧穿电导和噪声得到证实,并且为实验上研制具有量子计算和高效率磁储存功能的电子器件提供理论指导。第二、探讨了任意磁构型下的基于三维拓扑绝缘体的铁磁绝缘体／铁磁绝缘体／超导体结的自旋输运性质。研究了电导在不同磁构型和偏置电压下随入射角变化的特征,两磁性区域磁交换场方向的夹角在不同磁交换能和偏置电压时对电导谱的影响,隧穿磁致电阻幅TMR随两磁性区域磁交换场方向的夹角变化以及电导在磁交换能和两磁性区域磁交换场方向的夹角不同时随偏置电压的变化。