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过渡金属二硫化物二维层状材料因具有丰富的物理、化学性质引起了人们广泛的研究,该类材料的多样性、多功能性和可调性使其可以应用到能量存储、析氢催化、光电子器件等众多领域。在众多二维半导体材料中,单层MoS2纳米片具有1.9 eV的直接带隙以及1×108的高电流开/关比,引起了人们极大的研究兴趣。若能在单层MoS2中引入局域的未配对的自旋,便可获得二维的磁性半导体,有望在纳米自旋电子器件中发挥重要应用。此外,MoS2量子点由于其显著的量子限域效应和边界效应而具有独特的性质,受到越来越多的关注。本文中,我们