采用固相反应法制备了ZnO-Nb2O5、Bi2O3-MoO3、Bi2O3-B2O3等系列导电陶瓷以及ZnO-Nb2O5-Bi2O3-PbO、ZnO-Bi2O3-TiO2-CoO3-MnO2-Nb2O5-Sb2O3系压敏电阻器。以XRD、SEM表征ZnO样品的微结构,以霍尔效应和正电子湮没寿命谱分析样品的电阻率、载流子浓度、内部缺陷,以氧化锌避雷器直流参数测试仪测量ZnO-Nb2O5-Bi2O3-PbO和ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2-Nb2O5-Sb2O3等压敏电阻器的阈值电压、漏电流和非线性系数,研究材料成分、微观组织结构、载流子浓度等因素对其电学性能的影响,得到以下主要实验结果：(1) ZnO-Nb2O5导电陶瓷的电子密度随Nb2O5掺杂量的改变而改变。随着Nb2O5掺杂量的增加,正电子的平均寿命先减小后增大,即电子密度先增大后减小；当Nb2O5掺杂量为1.5mol%时,正电子的平均寿命最小,此时电子密度达到最大。(2) ZnO-Nb2O5为N型半导体陶瓷,随着Nb2O5掺杂浓度的增加,材料基体中出现了Zn3Nb2O8相,晶粒尺寸逐渐变大且呈现均匀分布,而电阻率逐渐下降。当Nb2O5的掺杂量为2.0mol%时,随着烧结温度的升高,ZnO晶粒尺寸逐渐变大且均匀分布,电阻率则逐渐下降。(3)对Bi2O3-B2O3半导体陶瓷,当B2O3含量较高时,正电子湮没平均寿命增大,电子密度降低,其电阻率下降。(4)对Bi2O3-MoO3, Bi2O3-PbO等半导体陶瓷,随着MoO3、PbO掺杂含量的增加,半导体导电陶瓷的晶粒尺寸变大且呈现均匀分布,其电阻率下降。(5)以半导化的ZnO-Nb2O5与半导化的Bi2O3-PbO混合烧结而制成的ZnO-Nb2O5-Bi2O3-PbO系压敏电阻,随着烧结温度的升高,压敏电压V1mA和漏电流IL先减小后增大,非线性系数a先增大后减小；当烧结温度为90O℃时,ZnO-Nb2O5-Bi2O3-PbO压敏电阻的压敏电压为147V、漏电流为349μA、非线性系数为9.5。(6)综合考虑各种因素对ZnO-基压敏陶瓷电性能的影响所制备的ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2-Nb2O5-Sb2O3系压敏电阻器有较好的压敏性能,其压敏电压为238V、漏电流为3μA、非线性系数为36。