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本文通过PC1D程序拟合电子、质子辐照下GaInP/GaAs/Ge太阳电池外量子效率获得GaInP/GaAs/Ge太阳电池的多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数。通过研究多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数对GaInP/GaAs/Ge太阳电池电学性能的影响,进而揭示太阳电池载流子输运的物理机制。PC1D程序拟合电子辐照下GaInP/GaAs/Ge太阳电池外量子效率结果表明GaAs中间电池的多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数随辐照电子能量增加而增大。GaInP/GaAs/Ge