半导体金属氧化物的气敏性能研究

来源 :上海大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zdhks008
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随着生活水平的日益提高,人们对环境与生活质量等方面的要求亦愈来愈高,迫切需要开发各种高灵敏度、超小型、多功能的气体或气味传感器来保证生活质量.因此,研究检测有毒有害气体的气敏元件和研究检测水产品新鲜度的传感元件已成为材料化学工作者的一大课题.半导体金属氧化物In<,2>O<,3>作为导电性功能材料已为人们所熟知,作为一种新型的气敏材料,亦日益受到人们的重视.尽管已有关于In<,2>O<,3>作为检测还原性气体传感元件的研究报导,但对其研究远不如对SnO<,2>等半导体氧化物来得深入,同时至今还未见有关用In<,2>O<,3>材料制作TMA气敏元件的报导.该研究以半导体氧化物In<,2>O<,3>为基材,通过对纳米In<,2>O<,3>的制备,及其气敏性能的研究,尤其对TMA气体选择性检测的性能研究.
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