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纳米结构的制备和性质表征一直是纳米科学技术领域的核心工作，而各种扫描探针显微术的发展为纳米科技提供了有力的工具，推动了纳米科技的飞速进展。激光熔蒸技术作为一种有许多优点的的纳米结构制备技术，在科研和工业生产中日益受到更加广泛的关注。 在我们的研究中，我们利用扫描探针显微术（主要是扫描隧道显微术和原子力显微术）来研究激光熔蒸法制备的纳米结构的表面形貌、电输运等性质。下面我们分五章来叙述我们的工作。 第一章 我们回顾了纳米结构的制备技术和扫描探针显微术的发展，并简单介绍了TiO2、TiSi2研究的进展情况，引出我们的研究目的。 第二章 简单介绍了超高真空系统和变温扫描隧道显微镜（VT STM）系统的建设，以及对变温STM系统作的一些主要的改进工作，为我们的研究工作做好仪器方面的准备。 第三章 在Si（111）表面上沉积很薄的一层TiO2薄膜，以之为前驱，在850℃退火制备了C54结构的TiSi2纳米岛，利用STM原位研究了其表面形貌和电输运性质，利用XRD和XPS分别研究了纳米岛的结构和成分。讨论了C54-TiSi2的结构与衬底和温度的关系，我们认为Si（111）衬底的对称性以及比较高的退火温度对C54-TiSi2纳米岛的形成起了关键作用。对不同大小的纳米岛的输运性质的研究，阐述了随着TiSi2纳米岛的长大，纳米岛与衬底Si之间的接触由整流接触向欧姆接触的转变。 第四章在Si（111）7×7和Si（100）2×1表面蒸发了约0.005ML的C60分子，然后用不同能量的波长为266nm的激光轰击样品表面，用STM探测激光作用前后表面形貌的变化。结果显示：能量比较小的激光就可以破坏C60／Si（100）2×1的表面，而C60／Si（111）7×7表面却稳定的多，直到激光能量加大到17.5mJ／pulse都没有完全破坏表面再构和上面吸附的C60分子。我们认为C60分子与不同的表面的