(1-x)Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃-x(Ba_0.7Ca_0.3)TiO₃（BZT-xBCT）无铅压电陶瓷在准同性相界（MPB）区的压电系数d₃₃高达620pC/N。而薄膜材料不同于块体材料，其内部存在着残余应力，使得薄膜的性能也有别于陶瓷，目前报道BZT-xBCT薄膜最大的压电系数大约为80pm/V，BZT-BCT薄膜并没像陶瓷那样，展现出特别优异的压电性能，主要是该体系薄膜面临着晶化程度低，薄膜质量差，薄膜无织构等问题。本文在摸索溶胶凝胶法制备BZT-BCT薄膜成膜工艺的基础上，着眼于解决该体系薄膜面临的突出问题，试图通过成分变化、改变薄膜厚度、元素掺杂以及引入种子层等手段，来提高薄膜在MPB附近的压电性能。采用Sol-gel方法制备了CaTiO₃，TiO₂和LaNiO₃（LNO）种子层以及带有种子层的BZT-BCT薄膜，研究了种子层对BZT-BCT薄膜的质量、微观结构以及电性能的影响。利用XRD，AFM以及PFM研究发现，CaTiO₃，TiO₂种子层的引入可以降低薄膜的晶化温度，同时，带有CaTiO₃种子层的BZT-0.50BCT薄膜在一定程度上提高薄膜的晶化程度，TiO₂种子层的引入提高了薄膜的质量，薄膜表面更加致密平整，带有LNO种子层的BZT-xBCT薄膜质量、晶化程度得到了很大提高，并出现了（100）织构，相比没有引入LNO种子层的薄膜，加入LNO种子层的薄膜电性能有了明显地提高。带有LNO种子层的BZT-xBCT薄膜的XRD衍射和ω扫描结果表明，加入LNO种子层的BZT-xBCT薄膜出现了明显的（100）织构，薄膜（100）衍射峰ω扫描结果表明，随着x的增加，FWHM值总体呈逐渐变大，说明（100）织构变得弥散。其中，当x=0.40时，FWHM值为5.1，2Pr值为10.7C/cm²。BZT-xBCT/LNO薄膜的压电系数均高于25pm/V，越临近准同型相界上成分点的薄膜d₃₃值越大，当x=0.55时，d₃₃最大值为131.5pm/V。当成分不变时，BZT-0.50BCT/LNO薄膜随着膜厚的增加，（100）织构逐渐减弱，（110）衍射峰逐渐变强，薄膜厚度由200nm增至500nm，其d₃₃值从126pm/V减小到55pm/V。La掺杂BZT-0.50BCT/LNO薄膜的结果表明，La掺杂量从0at.%增加到5at.%时，薄膜的（100）织构度减弱，（110）衍射峰逐渐变强，当La掺杂量为5at.%时，压电系数d₃₃最高达183pm/V。