目前，一维半导体纳米材料因其独特的光电特性而被广泛关注。其中，ZnO由于其具有宽禁带（3.37 eV）和高激子束缚能（60 meV），在室温或更高温度下仍可实现紫外光发射，是一种性能优良的发光材料，但目前ZnO不能用来制作光电器件。因此，深入研究ZnO材料是非常必要的。In2O3(ZnO)m超晶格和ZnO具有类似性质，具有独特的光电性能。　　本论文利用化学气相沉积（CVD）方法合成了准一维Si掺杂的In2O3(ZnO)3(SIZO)纳米带，通过SEM观察了样品的形貌。 EDX能谱表明，纳米带包含In、Zn、O元素且原子比约为2:3:6，符合In2O3(ZnO)3的化学配比。截面的HRTEM图像显示In/ZnO层和In-O层与纳米带的表面平行方向交替排列。　　通过掩膜法将SIZO纳米带制作成了半导体电子器件，测量了其I-V特性曲线，发现其I-V特性曲线呈现非线性，研究发现，这种非线性与超晶格的固有能带结构有关，In3+ and Zn2+在Si掺杂的 InO(ZnO)m+夹层中随意的分布，导致了超晶格导带边附近电学结构的改变，形成了静态势的分布，这种静态势包括势垒和势阱，在低电压时，导带中的电子通过遂穿效应进行传输，因此I-V特性呈线性，当达到较高电压时，电子的热离化效应占主导作用，因此其I-V特性呈现出非线性。此外，Si在IZO中很可能以SiZn2+存在，使得IZO中载流子浓度升高，进而降低了其电阻率。