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研究目的我们通过北京协和医院单中心、回顾性研究分析ICD误治疗的发生率、常见原因、预测指标及对临床预后的影响,并探索减少ICD误治疗的方法。研究方法2006年1月至2014年12月在北京协和医院心内科首次植入ICD,术后在我院规律随访的患者纳入本研究进行分析。通过问诊和查阅病历,收集患者临床资料,并调阅患者ICD随访资料与事件记录。由3位有经验的起搏电生理专业医生根据ICD治疗事件腔内心电图对ICD治疗事件进行鉴别诊断。如果治疗不是针对室性心动过速或心室颤动则该治疗定义为误治疗。研究结果123例患者符合研究入选标准,中位数随访时间36个月,共计28人(22.8%)发生误治疗。ICD共记录292次治疗事件,其中误治疗161次(55.1%)。误治疗事件中频率在"VT/FVT"识别区间的有118次,其中单纯ATP治疗90次(76.3%)；ATP治疗后发生放电的误治疗事件多数(96%)为在1-2阵ATP后即发生放电。房颤/房扑是引起误治疗的最常见原因(63.3%),房颤/房扑病史(OR:5.3,95% CI:1.7-16.4,p=0.004)、单腔ICD (OR:5.5,95% CI:1.8-16.3, p=0.002)、无高血压病史(OR: 3.7,95% CI:1.2-11.7, p=0.025)以及无糖尿病病史(OR:7.6,95% CI:1.9-30.9, p=0.005)是ICD误治疗的独立预测指标。单腔ICD误治疗发生率显著高于双腔ICD/CRT-D (p<0.001)。ICD误治疗在一级预防、二级预防的患者中无显著性差异(p=0.433)。结论ICD误治疗发生率较高,房颤/房扑是引起误治疗最常见的原因。既往房颤/房扑病史、单腔ICD以及无高血压、无糖尿病合并症的患者可能是ICD误治疗的高危人群。多阵ATP设置有益于减少误放电的发生。