本文采用电子陶瓷工艺制备技术，分别制备了CuO、Nb2O5和Sb2O3掺杂的三个系列ZnO压敏陶瓷样品;测量了样品的正电子湮没寿命谱和正电子湮没辐射多普勒展宽谱，研究了样品中的缺陷及电子动量分布;用扫描电子显微镜和X射线衍射等方法研究了ZnO压敏陶瓷的微观结构;测量了不同摩尔含量CuO、Nb2O5和Sb2O3掺杂的ZnO基压敏陶瓷的压敏电压、漏电流和非线性系数，讨论了掺杂引入的Cu离子、Nb离子和Sb离子分别对ZnO基压敏陶瓷电性能和微结构的影响。本文的主要的实验结果如下:　　 (1)对用不同摩尔含量CuO掺杂的ZnO压敏陶瓷，随着CuO掺杂量的增加，压敏电压的V1mA和非线性系数α先减小后增大，当CuO掺杂量为0.10 mol％时，样品的晶粒最大，其压敏电压V1mA为21.5V，为该系列样品的最小值;漏电流IL则随CuO掺杂量的增加先增大后减小。　　 (2)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的Nb2O5，随着Nb2O5掺杂量的增加，ZnO晶粒和漏电流IL先减小后增大，压敏电压V1mA和非线性系数α先增大后减小。当Nb2O5掺杂量为1.5mol％时，样品的压敏电压V1mA为9.1V，为该系列样品的最小值，而该样品的漏电流IL是该系列样品的最大值。　　 (3)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的Sb2O3，随着Sb2O3掺杂量的增加，ZnO晶粒和压敏陶瓷的非线性系数α先增大后减小，压敏电压V1mA先减小后增大。压敏陶瓷的漏电流IL随着Sb2O3掺杂量的增加而降低。当Sb2O3掺杂量为0.05 mol％时，样品的压敏电压V1mA为35.5V（为该系列样品的最小值），其漏电流IL和非线性系数α分别为45μA和10.3。　　 (4)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的CuO，引起了ZnO压敏陶瓷电子密度的变化。随着CuO掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷的正电子湮没平均寿命先减小后增大，当CuO掺杂量为0.10 mol％时，其正电子湮没平均寿命是该系列样品中的最小值。随着CuO掺杂量的增加，样品的商谱谱峰呈先升高后下降的。　　 (5)对Nb2O5掺杂的ZnO压敏陶瓷样品，随着掺杂量的增加，形成Nb-V"Zn的复合体数量增加，而V"Zn减少，导致正电子湮没平均寿命降低。　　 (6)对以Sb2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷样品，随着Sb2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷的正电子湮没平均寿命先减小后增大，当Sb2O3掺杂量为0.05mol％时，其正电子湮没平均寿命为199.02ps，是该系列样品中的最小值。