基于花生锥结构的干涉型光纤传感器研究

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光纤传感器因其结构简单、灵敏度高、抗电磁干扰等特点广泛的应用于航天航空、冶金、医疗等领域中。其中干涉型光纤传感器光学稳定性高、动态响应范围大,可以长期工作于高压、高温、强腐蚀等特殊环境下。近十几年,国内外学者的研究重点都在干涉型光纤传感器上。本文在干涉型传感器研究的基础上结合磁场测量的相关技术设计并制作出三种实现磁场、温度双参量同时测量的新型传感结构。传感结构由花生锥结构为主,结合多模光纤、光纤光栅、锥结构组成。主要内容如下:1.简述了光纤传感器的研究背景、意义、分类和特点;Inline干涉型光纤传感器及Inline MZI研究现状。2.主要对Inline MZI和光纤光栅的传感原理进行了分析。3.提出了一种基于花生锥结构和多模光纤的磁场传感器。分析其传感原理并且进行了实验研究,分别对磁场和温度特性进行实验数据测量,并结合敏感矩阵实现了双参量同时测量。两个花生锥结构构成的MZI产生两种干涉峰,一种是纤芯与纤芯模式干涉形成的干涉峰,另一种是纤芯与包层模式干涉形成的干涉峰。实验表明只有纤芯与包层模式形成的干涉峰对磁场强度敏感,磁场灵敏度为0.0478nm/mT。另外,还对该结构进行了温度实验,两种干涉峰都对温度敏感,灵敏度分别为0.06nm/℃和0.0526nm/℃。4.提出了一种基于花生锥结构级联LPFG的光纤磁场传感器。外界磁场强度从0m T变化至20mT,Dip1和Dip2两个干涉谷的磁场灵敏度系数分别为-0.064nm/mT和-0.0413nm/mT。温度特性实验中Dip1和Dip2温度灵敏度高达0.2328nm/℃和0.1857nm/℃。5.提出了一种基于花生锥结构和锥结构、FBG级联的光纤磁场传感器。当磁场强度由0mT变化到20mT时,MZI干涉峰灵敏度为0.11nm/mT。温度特性实验测得MZI干涉峰和FBG透射峰的温度灵敏度分别为0.4015nm/℃和0.0114nm/℃。
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