论文部分内容阅读
本文首先针对KDP晶体传统同心旋转的方式,对采用降温法时不同旋转半径下KDP晶体的生长过程进行数值模拟,着重分析旋转半径对晶体表面过饱和度大小及分布的影响,并研究其作用机理。同时通过改变晶体的摆放方式,进一步寻找提高晶体表面过饱和度和改善晶体表面均匀性的方法。其次,考虑到实际工业生产中以循环流动法生长晶体为主,为了便于对其生产过程进行理论指导,本文在不同旋转半径对晶体生长影响研究的基础上,对利用循环流动法生长晶体时,不同进口条件下KDP晶体的生长过程进行数值模拟,探寻不同进口条件对晶体生长过程中表面