论文部分内容阅读
氧化铌是一种典型的N型半导体,带隙宽度3.4-4.0eV,不仅自然界矿藏丰富,而且具有优于氧化钛的化学和热力学稳定性,极具光催化潜能。一维氧化铌纳米结构,由于量子限域效应和高表面积,更是具有优于体相的光电性能。目前,一维氧化铌纳米结构的制备方法主要为静电纺丝和铌箔热氧化等,都存在这能耗成本高的缺点。本文探究了单晶一维氧化铌纳米结构的水热、溶剂热和熔盐等制备方法。分别制备了不同直径的氧化铌纳米线(直径20-30nm)、纳米带(宽200nm左右)和纳米棒(直径500nm左右)。其中水热和溶剂热法制备的一