天然纯净金刚石具有绝佳的绝缘性，掺杂的金刚石则转变为半导体特性，在光电子领域具有重要的应用价值。本文利用直流热阴极化学气相沉积法（DC-PCVD），以H₂、CH₄、NH₃等作为反应及掺杂气体，研究了不同条件对N掺杂金刚石膜生长及性质的影响，通过扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱仪（Raman）、X射线衍射仪（XRD）和霍尔效应测试仪（Hall）等手段研究了金刚石膜的表面形貌、生长特性和导电特性。同N₂和C₃H₆N₆（三聚氰胺）相比NH₃具有最小的键能，N原子更容易形成离子取代C原子，进行杂化促进二次形核，细化晶粒并增加禁带中的杂质缺陷，提高导电性。流量不超过6sccm的NH₃可细化晶粒，实现纳米金刚石膜的生成，同时也会降低反应速度，过量会遏制膜的生成；温度（800℃-1000℃）和压强（10KPa）适中时，均能生成结晶质量高的金刚石膜，但会降低导电性，NH₃流量超过2sccm时会大大改善其导电性能。