为满足电子设备和装置的小型化和片式化的需求,现代电子行业要求铝电解电容器不断缩小体积和提高比容量。而铝电解电容器体积的缩小和比容量的提高主要受限于铝电解电容器中阴极铝箔、阳极铝箔的比表面积。本文研究了通过腐蚀增大阴极箔比表面积的工艺过程,研究了缓蚀剂对腐蚀工艺过程的影响。腐蚀之前的预处理过程,采用碱洗方法,通过实验得出合适的碱预处理条件为：碱(氢氧化钠)预处理液浓度范围为6%-8%,预处理时间为60s-70s,温度范围为45℃-50℃。考察了盐酸浓度、硫酸浓度、腐蚀时间和腐蚀温度对阴极箔腐蚀扩面的影响,得出合适的酸腐蚀工艺条件为：腐蚀液成分控制为盐酸1.5mol·L-1～2mol-L-1,硫酸浓度为0.2mol·L-1,控制腐蚀时间55s-60s,腐蚀温度45℃。当盐酸浓度为2mol·L-1,硫酸浓度为0.2mol·L-1,腐蚀时间60s,腐蚀温度45℃时,所得腐蚀铝箔的比容量达到最大,为223.7μF·cm-2。在此条件下,铝箔的失重率为25.76%,腐蚀箔表面呈现分布均匀的腐蚀孔。缓蚀剂的直接添加,可以有效的抑制铝箔表面的腐蚀反应,腐蚀孔变得稀疏。通过调节腐蚀工艺参数,可以获得腐蚀状态比较好的阴极铝箔,同时腐蚀铝箔表面蚀孔分布均匀,比容量进一步提高。本文研究了硫脲和六次甲基四胺对铝电解电容器用阴极箔腐蚀过程的影响。腐蚀液体系成分盐酸2mol·L-1+硫酸0.2mol·L-1,当缓蚀剂为硫脲时,合适的工艺条件为：硫脲浓度为0.5g·L-1,控制腐蚀温度60℃,腐蚀时间70s,此时腐蚀箔比容量为246.9μF·cm-2。当缓蚀剂为六次甲基四胺时,合适的工艺条件为：当六次甲基四胺浓度为0.1g·L-1,控制腐蚀温度55℃,腐蚀时间70s时,可获得腐蚀箔比容量为268.5μF·cm-2。