近年来,随着科学技术的发展,人们要求提高信息存储密度,缩小存储器件尺寸。存储器件中磁性颗粒的尺寸缩小,有利于提高存储密度,但是当磁性颗粒的大小逐渐减小到临界值以下时,磁性颗粒内的磁矩会变得无序,这就是所谓的"超顺磁性限制",因此,找到有效稳定磁矩的办法,这对于基础研究和技术应用都很有意义。引入交换偏置效应是解决这个问题的可能办法之一。1956年,Meikleijohn和Bean在部分被氧化的Co颗粒系统中观察到交换偏置效应。此后,交换偏置效应在多种人造材料中被观察到,科学家们对交换偏置现象做了很多深入的探索。2003年,Shumryev等在《Nature》上撰文提出,可以利用Co/CoO颗粒中的交换偏置效应打破纳米Co颗粒的超顺磁性限制,提高Co颗粒的热稳定性,并且增大矫顽力。这一研究成果为交换偏置效应带来了新的应用价值,因此引起了人们的广泛兴趣。弄清交换偏置效应产生的微观机制并用恰当的理论加以解释,再据此设计制造能获得高交换偏置场的人造材料,是目前这一领域的研究重点。但是令人遗憾的是迄今为止交换偏置效应产生的确切微观机制仍然不明确,已有的多种理论模型也仍然存在争议。有一种理论认为交换偏置效应与铁磁和反铁磁界面的自旋结构有关,在铁磁和反铁磁界面处不随外加磁场旋转的未补偿自旋是交换偏置效应的真正来源,交换偏置场的大小与这种未补偿自旋的密度高低有关。目前,这种观点被比较广泛地接受,并且正在被越来越多的实验结果证实。根据交换偏置效应的特征,结合磁性颗粒膜的性质,我们制备了一系列Co/CoO-MgO颗粒膜样品(Co/CoO颗粒嵌入MgO介质)。本文研究的重点:1.利用磁性表征技术测量这一系列Co/CoO-MgO颗粒膜样品的磁、电参数(交换偏置场、矫顽力、磁畴结构、电阻等);2.利用X射线磁性圆二色性(XMCD)实验确定Co与CoO界面处的自旋结构;3.根据实验结果探究该系统具有大交换偏置场和大矫顽力的原因,证明交换偏置的未补偿自旋模型理论的合理性;4.明确交换偏置场和矫顽力之间的关系,找到调控交换偏置场和矫顽力的可能途径,以利于研发高性能的磁记录材料。5.测试发现样品具有显著的磁光效应增强,这是样品中的金属钴颗粒表面的局域表面等离激元共振引起的。论文主要包括以下三个部分:一、(Co/CoO)-MgO颗粒膜中的交换偏置效应的研究1、利用磁控溅射技术制作了一系列组份不同的Co/CoO-MgO颗粒膜样品。选取钴原子比为69%的样品Co69Mg7024(即CCMO1)和钻原子比为80%的样品Co80Mg6014(即CCM02)做了仔细的研究。2、在渗流阈值以下的样品CCMO1中观察到高达2460Oe的交换偏置场和高达62000e的矫顽力。在Co的L2,3测得的x射线磁圆二色性吸收谱清楚地表明铁磁信号部分来源于通常呈反铁磁性的CoO壳层。3、研究结果证实了未补偿自旋模型的正确性,而且进一步证实了被钉轧的未补偿自旋的数量影响交换偏置场,可旋转的未补偿自旋的数量影响矫顽力。我们观察到的来源于反铁磁CoO壳层的铁磁XMCD信号就清楚地证明了后者的存在。二、(Co/CoO)-MgO颗粒膜中的巨矫顽力研究1、借助于高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图片,我们清楚地确定了样品Co56/(CoO)32-(MgO)12和 Co75/(CoO)15-(MgO)10 的形态和结构。2、借助于原子力显微镜(AFM)和磁力显微镜(MFM)技术,我们弄清了样品Co56/(CoO)32-(MgO)12和 Co75/(CoO)15-(MgO)10的形貌和畴结构,并进行了对比。3、通过分析Co/CoO-MgO纳米颗粒膜样品的磁滞回线,我们得到了样品Co56/(CoO)32-(MgO)12和Co75/(CoO)15-(MgO)10在相同条件下交换偏置场和矫顽力之间的差异,以及两个样品交换偏置场和矫顽力随温度变化的情况。我们还特别测量了外加不同大小冷却磁场时样品Co56/(CoO)32-(MgO)12的交换偏置场和矫顽力。4、通过对样品Co56/(CoO)32-(MgO)12和Co75/(CoO)15-(MgO)10的磁性分析可得,钴体积比恰好达到渗流阈值的样品Co56/(CoO)32-(MgO)12具有高达7121 Oe的矫顽力和高达3435 Oe的交换偏置场。可见交换偏置的存在有利于提高系统的矫顽力。5、研究结果表明,通过改变Co/CoO-MgO纳米颗粒的交换偏置场的大小可以调控其矫顽力。三、(Co/CoO)-MgO颗粒膜中的克尔效应研究1、测量得出Co/CoO-MgO颗粒膜的磁光克尔角与入射光波长之间的关系曲线。应用经典4×4矩阵法拟合了Co/CoO-MgO颗粒膜的磁光克尔角与入射光波长之间关系的实验曲线。2、测量了入射光波长为共振波长时所有样品的磁光克尔角。3、用等离激元理论解释了样品中磁光克尔角增大的原因。