ZnO作为一种Ⅱ-Ⅵ族宽带隙直接禁带半导体材料具有独特的性质，在纳米光电器件、光催化剂、橡胶、陶瓷及化妆品领域有着广阔的应用前景，已经引起了人们越来越广泛的关注。对纳米结构ZnO进行掺杂改性，充分发挥其形貌、能级和功能特性的综合效应，仍是目前纳米ZnO研究领域的热点，而稀土离子是一种特殊的掺杂中心，研究其对ZnO能隙的调控作用及性能的改善有着重要的现实意义。采用溶剂热法制备了ZnO和不同镧掺杂浓度（0.5％，1.0％，1.5％，2.0％，2.5％，3.0％，4.0％，5.0％）的ZnO纳米晶。研究掺杂对ZnO晶体结构和光学性能的影响。在XRD图谱中未出现新的衍射峰，但是峰的强度和位置发生了变化，说明掺杂改变了晶格参数，使晶胞体积膨胀；且随着掺杂量的增加，X-射线衍射峰宽化，强度减弱，表明稀土掺杂可以抑制氧化锌纳米晶粒的生长。紫外-可见漫反射光谱结果表明：La³⁺掺杂使ZnO晶体的吸收边发生蓝移，能隙变宽，且镧掺杂量增大能隙越宽，直到掺杂量达到2.0％。在对其光致发光研究中发现，在403nm和447nm光激发下，镧掺杂氧化锌在La³⁺掺杂2.0％的体系中得到强黄光和红光发射，说明镧掺杂影响了氧化锌纳米晶的发光强度和位置。对样品进行了光催化性能测试，发现我们制备的ZnO颗粒具有很高的光催化活性，La³⁺的掺杂存在一个最佳浓度2.0％，使ZnO的光催化活性得到最有效的提高。采用密度泛函理论的平面波赝势方法计算了ZnO晶体、掺镧ZnO晶体的电子结构、态密度和电荷分布，与实际结果进行了比较。计算结果表明，镧的掺入使晶体的能带结构、态密度和电子性质都发生了变化。对比镧掺杂和纯ZnO晶体的能隙宽度，发现镧掺杂后ZnO能隙变宽，与实验结果可以相互验证。