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PIN探测器受不同功率密度的激光辐照时，会出现不同程度的损伤，甚至无法正常工作。本文对不同功率密度的激光辐照PIN探测器这一课题进行了系统的研究。首先从理论上对激光和半导体的相互作用和损伤阈值的测量方法做了简单的介绍。然后使用散射光能量法对PIN探测器的损伤阈值做了测量，使用CCD探测器对受不同功率密度激光辐照后的散射光的光强分布以及表面形貌做了观测，得到实验所用的PIN探测器的损伤阈值为4.1×108W/cm2，此时探测器反射率下降了11％，Si晶体表面出现了较为严重的烧蚀和较大的裂纹。最后，使用SNSYS软件对激光辐照晶体的过程做了模拟计算，计算结果比实验结果较大。主要因为实际探测器Si晶体含有的杂质和缺陷造成了探测器损伤阈值的降低。