光波导的模场传输特性是集成光学器件的设计和优化的理论基础,本文围绕平面光波导TE1模的模场和多量子阱光波导TE1模的衍射远场特性展开讨论。分析了折射率对称阶跃分布的平面光波导TE1模的M2因子与归一化频率的关系,采用多项式分别对M2因子与归一化频率的关系曲线进行了拟合并分析由拟合引起的相对误差。在阐述了平面光波导TE1模的光束传输因子M2M2因子接近于一阶厄米—高斯光束的条件下,对平面波导TE1模的模场分布采用一阶厄米—高斯近似,并计算二者的匹配效率,确定了等效模场半宽度的表达式并讨论了高斯近似表达式中等效模场半宽度与归一化频率的关系。以材料为GaAs/GaAlAs的多量子阱光波导为例,提出对多量子阱光波导TE1模的端面衍射远场分布采用一阶厄米—高斯近似,讨论采用两种不同等效远场发散半角的表达式时多量子阱光波导TE1模衍射远场分布及其一阶厄米—高斯近似间的匹配效率,对两种等效远场发散半角与势阱层的关系曲线进行了拟合,并给出由拟合引起的相对误差。对半导体激光器的远场衍射光强分布进行了测量,给出平行于结平面方向上的衍射光强分布图,通过远场衍射的光强分布的测量值计算出基于二阶矩定义的远场发散半角。