热电材料能够实现热能和电能之间直接相互转换,是一种清洁可再生的新能源材料,在余热利用领域具有广阔的应用前景。PbTe基化合物被认为是中温区热电性能最为优异的热电材料,但Pb的毒性限制了其广泛应用。SnTe基化合物由于组成元素无毒、储量丰富,且与PbTe有着相似的晶体结构和能带结构,成为一种具有潜力的中温区热电材料。然而本征SnTe的载流子浓度较高和晶格热导率较大使其ZT值较低。本论文通过点缺陷工程和纳米结构设计,利用SnO的歧化反应和Cu₂Se的添加来调控材料的载流子浓度和晶格热导率,最终有效实现了SnTe化合物热电性能的优化。主要研究内容及研究结果如下:研究了SnO的添加对SnTe物相组成、显微结构及热电性能的影响。采用高温真空熔炼法并结合球磨和热压烧结工艺制备了SnTe-xmol%SnO系列样品,利用SnO在热压烧结过程中的歧化反应,同时实现了Sn的自掺杂和SnO₂纳米相的原位复合。其中Sn的自掺杂显著降低了载流子浓度及电子热导率,并提高功率因子;原位析出的SnO₂纳米相单分散均匀地分布在SnTe晶界处,对声子实现多尺度散射,有效降低晶格热导率。当SnO添加量为6mol%时,SnTe的ZT值达到0.96（@873 K）,比基体提升了一倍左右。研究了Cu₂Se的添加对SnTe物相组成、显微结构及热电性能的影响。采用高温真空熔炼-淬火法和热压烧结工艺制备了（SnTe）_1-x（Cu₂Se）_x系列样品,通过Cu₂Se的引入,实现了Cu₇Te₄纳米相的原位复合。Cu₂Se与SnTe在高温真空熔炼过程中发生了置换反应,Se^2-取代Te^2-原子,少量Cu⁺取代Sn²⁺,原位生成弥散分布于晶界处的Cu₇Te₄纳米第二相;这些纳米颗粒与点缺陷、层错等微结构共同对声子造成多尺度强烈散射,显著降低了样品的晶格热导率,使其接近于SnTe的非晶态极限值。最终,样品（SnTe）_0.97（Cu₂Se）_0.03在873K下获得1.02的最大ZT值,相比于基体SnTe提高了80%左右。