论文部分内容阅读
砷化镓(GaAs)负电子亲和势(NEA)光电阴极具有光谱响应范围宽、灵敏度高、暗发射小、发射电子能量分布及角度分布集中、扩展潜力大等特点，它和微通道板(MCP)、荧光屏及高压电源构成三代像增强器。这类像增强器大大扩展了夜视仪器的长波阈，将仪器的视距提高了1.5～2倍，改善了观察效果，并具有体积小、重量轻、线路简单、附属设备少的特点，从而开拓了微光夜视仪在远距离侦察、夜航和卫星定位等方面的应用。国内对三代像增强器的研究起始于七十年代，始终受到国家的大力支持，近几年来取得了很大发展，但在灵敏度、稳定性、噪声、寿命等方面仍远落后于美国等先进国家。光电阴极是三代像增强器性能的决定性因素之一，目前，国外生产的反射式NEA光电阴极的灵敏度一般均在2000μA/lm以上，最高可达3200μA/lm，透射式阴极的灵敏度也在1500μA/lm以上，高的可达2700 uA/lm，寿命一般超过7500小时，国内制备的反射式阴极的灵敏度可以达到2000μA/lm，透射式阴极的灵敏度可以达到1300μA/lm，和国外的差距仍很大。
本文对GaAs光电阴极激活过程控制进行了研究，通过对GaAs光阴极激活控制工艺、激活控制系统硬件、激活控制软件模型及自动化软件的研究，实现了GaAs光阴极激活自动化，进行了实验室模拟条件下的试验，给出了实验结果并进行了分析，为GaAs光阴极激活过程的自动化建立了理论和硬件基础。