微纳米晶体的形貌和尺寸是决定材料的物理、化学性质的两个重要因素,因而在微纳米尺寸下实现材料的形貌及尺寸控制是深入探讨和发掘微纳米材料性能及应用的前提。晶体生长理论旨在研究晶体的结晶生长行为与其内在结构及外界环境之间的相互关系。晶体生长理论的发展为人们认识和理解晶体的形成和生长提供了基础,指导人们设计、合成新型微纳米材料,并在一定范围内实现微纳米人工晶体的形貌可控性合成。从结晶生长的化学键合理论和晶体生长的三相区假设出发,可将结晶生长过程分为生长单元在介质中的传输和在表面上的键合两个基本过程。对于溶液中的结晶生长过程,当生长单元过饱和度不是很大时,扩散边界层内的传质速率远远大于表面键合速率,则表面化学键合过程决定晶体生长速率。本论文基于晶体表面结构的分析,给出了表面生长速率与表面键合参数(Nhkl,dhkl,Es)之间的关系,建立了晶体生长的动力学模型。在此基础上,考察了环境相对晶体生长动力学行为的影响,研究了不同动力学条件下晶体生长形貌的形成和演变。环境相中影响晶面生长动力学速率的控制因素复杂多样,如温度、过饱和度、pH、溶剂以及杂质等。本论文以Cu20晶体为研究对象,分别考察了溶液体系中杂质和溶液pH对Cu20表面生长动力学的影响。我们引入了杂质表面覆盖率和质子表面覆盖率的概念,用于反映不同杂质浓度或不同pH条件下表面生长动力学的变化趋势。基于晶体表面结构和杂质自身性质的分析,给出了杂质在不同晶面上的特征吸附曲线,得到了晶体的复杂形貌演变趋势。我们的计算结果得到了大量实验事实和观察的支持。本文中动力学模型的建立不依赖于特定的研究对象和生长体系,具有一般性,因此可以推广到其它功能无机晶体材料研究中,对设计并控制合成功能微纳米材料具有指导意义。