目前有许多关于合成三元黄铜矿化合物纳米晶体（如CuInS₂和CuInSe₂）的研究报道。I-III-VI族合金半导体材料可应用于太阳能电池、生物体内成像和显示器件等。CuInS₂（CuInSe₂）是直接带隙为1.5 eV（1.04 eV）的半导体,对应的发光波长为827 nm（1192 nm）,并且不含有剧毒的重金属元素。它的光吸收系数很大(α>10⁵ cm^-1),且光稳定性高。当在CuInS₂量子点表面覆盖ZnS层时,量子点的光致发光的强度显著增强。因为三元结构的复杂性,有关I-III-VI族合金半导体材料的发光机制仍有很大争议。在本论文中,我们主要研究了黄铜矿CuInS₂和CuInSe₂量子点,研究了它们的合成和在可见光区的光致发光特性,以及CuInSe₂量子点自组织生成超晶格的现象。利用溶剂热法合成了两种不同的基于CuInS₂的量子点。其中一种为Cu/In摩尔比为3/2、1/1和1/2的CuInS₂量子点。观测到CuInS₂量子点的带隙依赖于Cu/In比,铜元素占比较小时量子点带隙更大。所有制得的CuInS₂量子点的发光位于红光范围内（650–720 nm）,并且发光强度相对较弱。发光来源于与缺陷态相关的施主–受主对复合,施主态主要由In_Cu（铜位由铟替代）或者V_S（硫空位）组成,受主态主要由V_Cu（铜空位）组成。与CuInS₂量子点相比,CuInS₂/ZnS量子点的吸收峰发生蓝移,并且它们的发光谱也发生蓝移,显示出发光波长具有可调性。通过ZnS覆盖层的有效表面钝化,可使CuInS₂/ZnS量子点的发光强度增大。另一种CuInS₂量子点在室温下存在激子吸收峰（520nm）,并且发光位于红光范围内（640 nm左右）。经过ZnS层包裹后,吸收谱中的激子吸收峰消失,发光谱出现反常的蓝移现象,并存在两个发光峰。分析表明在CuInS₂和ZnS之间存在阳离子交换,并且555和605 nm的发光峰分别来源于Cu（Zn）InS₂内核和ZnS壳层。在对Cu（Zn）InS₂/ZnS量子点进行酸处理后,发现ZnS层的发光减弱。利用溶剂热法合成了平均尺寸为2.23–5.25 nm的CuInSe₂量子点,观测到量子点具有随尺寸而变化的在660–680 nm范围内的发光,并且发光与缺陷有关。发现CuInSe₂量子点可通过自组织生长成超晶格,这种超晶格具有2H结构。观测到由于CuInSe₂量子点层厚度变化所引起的反射光谱的变化。这些研究对基于量子点超晶格的器件的研发具有推动作用。