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本文对环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源进行了探讨。文章从体系的环状结构出发，考虑branch hopping 项对体系的影响，进而对SSH哈密顿量作相应的修改，用数值模拟的方法对对称破缺项(-1)t<,e> 的物理根源做出了解释。计算结果显示，考虑branch-hopping项(分支跃迁)后的哈密顿模型可以证明环状高聚物体系的主要特征。从物理的角度解释了环状导电聚合物中对称破缺现象和禁闭效应出现的原因。