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自2004年首次剥离获得单层石墨烯以来,二维半导体材料在近十多年的时间里得到了长足的发展。以二硫化钼为首的类石墨烯半导体材料从块体变为少层甚至单层时会表现出特殊的光谱学和光电性能。但是受到二硫化钼自身带隙和声子限制载流子迁移率的影响,亟待发展一些调控二硫化钼电学、光电性能的方法。本文重点研究二硫化钼的生长条件,并利用染料敏化修饰化学气相沉积法(CVD)生长得到的单层二硫化钼,增强其光电性能,同时还对增强的机理进行深入地研究。本文采用化学气相沉积的方法可控制备单层的三角形二硫化钼单晶。实验中对温度、时