ZnO是一种宽禁带(Eg≈3:37eV)、直接带隙、II-VI族半导体材料，在室温下ZnO具有较大的激子束缚能(≈60meV)，在晶格特性和能带结构方面与GaN有许多相似之处，拥有可以比拟的光电特性，而且还具有更高的激子束缚能以及较低的生长温度，被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料。要实现其在光电领域的广泛应用，必须获得性能良好的n型和p型ZnO材料。高质量的n型ZnO很容易实现，但ZnO薄膜中存在本征缺陷，受主元素在ZnO中的溶解度较低及引入的受主能级均较深，使得p型ZnO薄膜难以制备，从而影响了ZnO薄膜的应用，因此性能良好的p型ZnO材料就成为了研究难点和重点。　　 围绕这一背景，本论文基于密度泛函理论的第一性原理方法，对本征ZnO以及掺杂ZnO进行模拟研究。主要研究内容如下：　　 首先，研究了本征ZnO的电子结构，通过对能带结构、总体态密度及分波态密度的分析，说明了ZnO为直接宽带隙半导体。　　 其次，研究分析了以Ⅲ族Ga原子对ZnO进行n型掺杂，在导带底出现掺杂原子贡献的大量电子，引起ZnO体系电导率的提高。　　 然后，以N掺杂，Ga-N与Ga-2N共掺杂ZnO的方式分别进行p型掺杂，计算结果表明：N单独掺杂时由于ZnO的自补偿作用，受主N在ZnO中的溶解度较低，因此难以实现p型掺杂。而Ga-N与Ga-2N共掺杂能有效提高受主N的溶解度，提高ZnO体系空穴浓度，在价带顶附近形成浅受主能级，有利于p型ZnO的形成。　　 最后，研究了Be掺杂，Mg掺杂，Be-2Mg与Be-4Mg共掺杂ZnO的电子结构，并分析了各种掺杂对带隙的影响。