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光敏聚酰亚胺（PSPI）是一种兼有优良的耐热性和绝缘性，又能直接光刻成型的新型材料。在电子工业中得到广泛的应用。国际上负性光敏聚酰亚胺可分为三大类，即：酯型PSPI，离子型PSPI及自增感型PSPI。本文在前两类相关领域中进行了以下工作：1.在对其前体聚酰胺酸（PAA）分子改性的基础上，首次用2，4-二异氰酸酯甲苯（TDI）和丙烯酸羟乙酯（NEA）与PAA反应制成酯型PSPI，解决了酯化反应困难的问题： 首次用丙烯酸为反离子与聚酰胺酸的胺端基成盐制成新型离子型PSPI，与传统的离子型PSPI的离子性正好相反； 首次用带有8个双键的树枝状大分子作为反离子制成离子型PSPI，提高了固化速度（减小了曝光能）；2.探讨了离子型PSPI中光敏基团的密度与曝光能及分辨率的关系，证明了其密度过高曝光能下降但分辨率减小。3.探讨了离子型PSPI的分子量与曝光能及分辨率的关系。结果表明了分子量增大可以使曝光能减小，但分辨率降低。4.探讨了活性稀释剂的量与PSPI曝光能及留膜率的关系。结果表明活性稀释剂增加可以使曝光能减小，但降低膜的最终残留率。5.用DSC和TGA等热分析方法比较了酯型PSPI及离子型PSPI的热分解过程，探讨了PSPI的光固化机理。并通过IR、SEM测试对其结构、性质进行了表征。