本论文研究了含硅电致发光材料的合成及性能研究,具体内容和结果如下: 1.合成了一系列含硅的聚苯硅高分子和含硅聚苯乙炔高分子,通过各种分析手段对合成的化合物结构和性质进行了表征,研究了化合物的荧光性能。 2.合成了含硅的小分子化合物四(β—萘基)硅,用氢谱、碳谱和质谱对它进行结构的表征,通过TGA测定了化合物的热稳定性,测定了化合物的吸收光谱和荧光光谱,最后制备了含四(β—萘基)硅的电致发光器件,发现四(β—荼基)硅是可以做空穴阻挡材料。这为蓝色电致发光器件的制备提供了一种新的选择。接着又合成了含咔唑的四苯基硅衍生物,通过氢谱和碳谱确定了化合物的结构,研究了它们的光谱性能,发现它们可以作为蓝色发光材料。 3.我们发现了用CuI催化合成9—(2—噻吩基)咔唑的方法,并对合成的方法进行了优化,并且用优化后的方法合成了一系列化合物。 我们还合成了三(β—萘基)膦,通过紫外光电子能谱研究了它在金属Ag的110单晶表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用。并制备了含三(β—萘基)膦的OLED,研究了它的器件性能。