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随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管特征尺寸的不断减小,作为集成电路主要材料的硅已经接近其物理极限。与硅相比,锗的电子和空穴迁移率都高得多,因此被认为是未来超大规模集成电路工艺中硅最有利的替代者。本论文对锗衬底上的源漏接触锗化物和多种金属与锗的肖特基结电学特性进行了研究。1) Ni/Ge(100)固相反应特性研究。我们使用Ni0.95Pt0.05和Ni0.85Pt0.15两种合金靶材以及纯Ni靶材在Ge衬底淀积Ni(Pt)薄膜和Ni薄膜,通过不同温度RTA处理形成Ni(Pt)Ge薄膜和NiGe薄膜。通过四探针测试和扫描电子显微镜(SEM)图片,可以知道Pt的掺入抑制了NiGe团聚,提升了NiGe薄膜的热稳定性。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在整个退火区间内,Ni与Ge的化合物存在唯一相为NiGe相；但Pt的掺入改变了NiGe生长的织构。剖面透射电子显微镜(XTEM)图片显示Pt的掺入改善了界面接触性能；能量色散X射线光谱(EDX)分析显示,Pt主要分布在Ni上表面和Ni/Ge界面处。对Pt含量不同(分别为5%和15%)的样品,我们并未发现其对Ni/Ge反应的影响有明显差异。我们认为少量Pt的掺入使得NiGe晶格常数变大,导致NiGe(211)面与Ge(220)面晶面间距相匹配,形成NiGe轴延织构,是Pt提高NiGe薄膜热稳定性的原因。2)金属/n-锗的肖特基接触电学特性研究。在锗衬底上溅射Pt、Cu、Co等不同金属电极,并测试其肖特基电学特性。根据热发射模型对测试数据进行拟合,提取出各金属与n-锗接触的肖特基势垒高度和理想因子。我们发现金属／n-锗的肖特基势垒高度相对独立于金属功函数,证明了在溅射沉积金属情况下,金属／锗接触仍然存在强烈费米能级钉扎。且通过对拟合数据的计算,我们得到电中性能级只比锗价带顶高出0.11eV,与其它条件制备的金属／锗接触结论一致。