用于敏化太阳能电池Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族量子点合成与制备研究

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受制于全球气候变暖等社会问题,化石能源的使用受到越来越多的限制。高效率、低成本的太阳能电池成为解决这一冲突的有效途径之一。其中量子点敏化太阳能电池(QDSCs)以量子点为敏化剂,是第三代太阳能电池典型代表。Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体是一类由Ⅰ族、Ⅲ族、Ⅵ2族元素形成的化合物,大多是直接窄带隙半导体。其中CuInS2、AgInS2带隙分别为1.5 eV、1.87 eV,与太阳光吸收光谱相匹配。本论文采用有机金属前驱体热分解法合成出尺寸均一的CuInS2、AgInS2量子点(4-5nm),经配体交换后吸附于T
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