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ZnO是一种常见的半导体材料,可以较为容易的产生光致发光或者受激辐射,具有很好的应用前景,有着广泛的应用价值,ZnO单晶可以相对容易的生长,在可见光谱中具有较小的光灵敏度和高透明度以及和玻璃、塑料相兼容的温度,对环境的影响和毒性也低于其他大多数半导体,且成本低廉,使得ZnO作为透明导电薄膜具有很强的竞争力。通过在ZnO中掺杂可以有效调节ZnO的导电性能和光学性能,有利于薄膜的性能优化。本文采用激光脉冲沉积方法(Pulsed Laser Deposition PLD)制备掺杂ZnO薄膜,选取S