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ZnO是宽禁带、高激子束缚能的新型半导体材料,具有优异的光电特性,因此被公认为重要的光电材料之一。为了得到更宽带隙的ZnO基合金材料,需要寻找到一种禁带宽度更大的材料掺入到ZnO中实现对其带隙的调节。在ZnO中掺入Mg元素后,可以使MgxZn1-xO合金薄膜的带隙在3.3eV～7.8eV的大范围内得到连续的调节。所以MgxZn1-xO合金薄膜作为一种新型的II-VI族半导体材料,已成为目前的研究热点。本文利用原子层沉积法(ALD),通过改变衬底温度、Mg掺杂浓度和退火温度等实验参数,制备了Z