SiC作为新一代半导体材料被广泛用于LED、高功率器件和空间反射镜。针对目前对SiC化学机械抛光（CMP）加工的去除机理不深入的问题，本论文以SiC单晶（0001）晶面作为模型体系，利用原子力显微镜微区模拟刻划方法，系统研究了介质、模拟磨料和溶液条件等因素对CMP行为的影响，深入探讨了CMP过程中的化学作用。研究结果为SiC的CMP加工提供了理论指导。研究了介质对SiC的微区材料去除行为的影响，利用原子力显微镜和XPS，发现在KMnO4溶液中SiC表面因氧化生成SiO2，导致高于空气和水中的去除速率，并提出了可能的氧化反应式。以AFM针尖和二氧化硅微球作为模拟磨料，发现在KMnO4溶液中均能实现材料去除。经过深入分析普遍存在的SiC单晶表面微区刻划后的台阶宽窄交替现象，认为根本原因是在氧化剂和载荷共同作用下SiC晶体中不同原子层的能量差异和体系总能量的降低趋势。针对KMnO4溶液这一氧化性体系，通过改变刻划时间、载荷、溶液浓度和溶液pH等条件，并结合SiC单晶表面和针尖形貌表征，研究了力学和化学综合作用的材料去除规律。发现去除速率随刻划时间的变化规律为先降低后增加，最低点为2h，这一现象与针尖磨损所致的形貌变化有关。去除速率随载荷增大呈近似线型增加关系。去除速率在浓度高于5×10-3mol/L后急剧增加，而随溶液pH的升高呈近似线型降低，均与溶液氧化性在高浓度和酸性时的强氧化性有关。利用Pt丝短路火花放电方法制备了微米尺寸微球，以Pt微球作为另外一种超软金属模拟磨料，利用原子力显微镜研究了Pt微球对SiC单晶的微区刻划材料去除过程，通过对照文献中的相关结果，对Pt等不同于传统氧化物磨料的超软磨料体系的去除行为进行了探讨和分析。