智能功率集成电路(SPIC)广泛应用于汽车电子、家用电器和工业控制等领域，SPIC的出现对于实现系统的小型化、智能化、提高系统可靠性、降低体积重量和成本有着重大意义。本文涉及的课题就是一种新型SPIC的设计。SPIC制作时需要将高压器件和低压电路集成在一起，因此隔离技术是SPIC工艺的核心技术之一。而依据陈星弼教授提出的一种优化横向掺杂专利技术，可设计出与普通CMOS兼容的新工艺，具有高性能、低成本、易推广的优点。本文基于该CMOS兼容工艺，对SPIC中低压电路的器件模型和模型参数进行研究。本文首先介绍了电力电子技术与SPIC的发展历程和当前进展，并对制作工艺中的隔离技术对SPIC的重要性进行简要解释，之后讨论了器件模型的发展，指出模型是IC设计与制造之间的桥梁，而模型参数则与制作工艺息息相关。其次，本文介绍了本次课题实验流片使用的新型CMOS兼容工艺，并对实验流片中的低压MOS器件进行了测试。在详细讨论了MOSFET器件的Bsim3v3模型的原理之后，依据该原理制定了参数提取流程，使用UTMOST4工具进行了参数提取工作。最后，本文对参数提取工作的算法进行了讨论，指出随着器件复杂程度的提高，使用传统算法进行参数提取的难度越来越大，而遗传算法以其自身的优势可以作为优良的替代算法。在简单介绍遗传算法的基本原理后，讨论了使用遗传算法进行参数提取的实现方法，最后使用遗传算法尝试对同一批MOS器件进行Bsim3v3模型参数的提取。