【摘 要】
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1064nm分布布拉格(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,使其在自由空间激光通信用种子光源方面具有广阔的应用前景。DBR半导体激光器的主要结构包括脊形波导部分和B
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1064nm分布布拉格(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,使其在自由空间激光通信用种子光源方面具有广阔的应用前景。DBR半导体激光器的主要结构包括脊形波导部分和Bragg光栅部分。本论文主要在DBR光栅结构的设计和制备工艺方面开展了系统地研究工作,采用MOCVD系统对1064nm半导体激光器外延结构进行生长,通过湿法腐蚀工艺制备出了3.5μm宽的脊形波导。在DBR光栅制备过程中,采用325nm全息曝光系统对脊形波导进行全息光刻,并利用ICP干法刻蚀,制备出光栅的周期结构。通过实际测试和分析,Bragg光栅周期为960nm,刻蚀深度为1.1μm,符合1064nm输出DBR半导体激光器对光栅结构的要求。最终研制出总腔长为1200μm,其中光栅区长度为400μm的DBR半导体激光器。器件在70mA注入电流下,连续输出功率达到7mW,其中心波长为1064.63nm,光谱线宽达到0.12nm。
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