本文制备了具有纵向沟道的有机薄膜晶体管（OTFT）和以此晶体管为驱动单元的垂直结构的有机发光晶体管（OLET）。所制备器件均采用有机半导体材料酞菁铜（CuPc）作为空穴传输层。OTFT和OLET器件的薄膜Al栅极利用掩模板在有机半导体层上通过直流磁控溅射法沉积薄膜制备,OTFT和OLET有效器件面积（漏源电极重叠部分）约为4mm²。采用喹啉铝（Alq₃）作为发光层制成结构为玻璃基板/ITO/Alq₃/CuPc/Al/CuPc/Cu的OLET,通过优化实验的工艺参数获得了性能良好的OTFT和OLET器件。用压铟方法引出电极,使用KEITHLEY4200半导体测试仪及示波器等测试并分析了OTFT及OLET静态特性和动态特性等基本电学特性,并利用Fowler-Nordheim隧穿注入模型对载流子注入进行分析,认为制备的垂直结构的有机薄膜晶体管是漏源极间电流隧穿薄膜Al栅极,隧穿电流受栅源极间电压控制。通过测试结果可知,薄膜Al栅极与CuPc薄膜形成了良好的肖特基势垒接触。当器件的漏源极间电压V_DS不变时,漏源极间电流IDS随栅源极间电压VGS的增加而减小;当器件的栅源极间电压VGS不变时,漏源极间电流IDS随的漏源极间电压V_DS的增加而增大。薄膜铝栅极施加很小的偏压（<1.0V）,OLET中即可获得典型的OTFT特性,OLET器件有较高的源漏极间电流。同样,OLET的亮度受栅源极偏压的控制。施加很小栅极偏压可以控制注入到Alq₃发光层的空穴载流子的数量,同时也能够很好地控制漏源极间电流的大小。通过测试结果可知,制备的器件有高速开关特性,开关比率很大,所制备的OTFT和OLET器件适用于柔性显示。