半导体超晶格和量子阱材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型的人造材料。这种材料的周期性是按人们的要求任意改变的,因此对其中运动的电子、空穴附加了人为的周期势。正是由于这一点,使得超晶格和量子阱材料具有许多不同于天然材料的特殊性质,具有广阔的应用前景,因而受到半导体物理、材料科学、微电子学、光电子学的重视,成为这些学科中一个非常活跃的研究领域。 超晶格和量子阱新材料的出现,无论在理论上,还是在实际应用上都具有重要意义。从超晶格和量子阱的出现到目前,对其物理性质和微观结构材料的生长方法研究已取得了突飞猛进的发展。它们在光学和电子学器件方面的应用也日益广泛。因此,这一领域的每一进展都成为当代固体物理学和固体器件领域最引人注目的事情。 本文回顾了近年来超晶格和量子阱材料的研究近况,报道了我们用MBE法制备GaAs/AlGaAs,对其特性进行了研究,论文主要包括三部分。 第一章介绍了超晶格和量子阱材料的基本理论,超晶格、量子阱的概念,基本性质。 第二章介绍了量子阱、超晶格材料的生长方法,介绍了分子束外延法（MBE）,阐述了生长基理及其各部分组成,以及样品的制备。 第三章是实验结果和分析。在掺Si的GaAs衬底的（100）面上,用分子束外延法生长的GaAs/Al_0.3Ga_0.7As超晶格、量子阱材料,生长温度为650℃。在常温下对生长的样品进行了光致发光的测量,对其分析,根据理论计算其发光峰的位置,确定发光峰的引起原因,在常温下,强发光峰是GaAs/AlGaAs