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IC(集成电路)封装是对半导体集成电路芯片外壳的成型包封。塑封工艺和模具是半导体器件后道工序中及其重要的手段和装备[1]。微电子封装越来越向小型化发展,然而在这种狭窄的空间里,针脚数却从几十根向上百根发展,导致引线之间的间隙越来越小。金线偏移是微电子封装在转移成型过程中最重要的缺陷之一。当IC元件趋于薄型化与高密度发展的同时,金线偏移分析的探讨亦将变得更困难且具挑战性,传统注塑成型理论已经无法精确描述其成型过程,这是由于微尺度效应对成形具有更大的影响[2-4]。此外,残余应力还会对塑封件产生巨大影响,因此将从保压压力释放导致塑封件膨胀与冷却导致塑封件收缩的角度来探讨残余应力。应用专业的模流分析软对实验具有指导意义,并且能够和实验相互验证,通过封装前后的金丝图进行对比,再与理论CAE相互结合是一种科学的分析方法,能直观真实的反映出封装中金丝偏移。以塑封SSOP-20L型集成电路块的封装为主要研究对象,确保在稳定工艺条件的基础上,对比塑封模浇口镶块厚度相同(0.25mm)而入射角(20o、30o、40o、50o)不同时,金线的偏移数据,从而获得不同浇口参数对金丝变形程度的影响规律,并对塑封模浇口参数和塑封工艺条件进行优化。通过MOLDFLOW以及ANSYS软件,共同分析金线在封装过程中的偏移大小和偏移规律,及其影响因素。针对工艺参数对残余应力的影响,同样采用实验和CAE相结合的方法,使用应力偏光仪定性分析塑封料应力分布趋势,利用ANSYS流固耦合模块可以定量分析工艺参数对残余应力的影响量。在以上的研究基础之上,通过实验和CAE分析,可以发现:在浇口厚度为0.25mm的条件下,金线的平均偏移量先随入射角的增大而增大,然而当入射角超过30o时,其值会随入射角的增大而减小。在设定范围内,增大保压压力和延长注塑时间都能减小残余应力,不过延长注塑时间时残余应力减小的幅度没有增大保压压力时明显,说明保压压力是影响残余应力的主要因素,注塑时间只是次要因素。此外由于环氧树脂玻璃化温度较高,以及模料温度和模温基本一致,导致残余应力主要集中在中间部位。