肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P-N结相比，它是一种多子器件，具有正向导通电压低，使用频率高等特点。这使得肖特基二极管在微波领域有着广泛的应用。 但长期以来，由于薄硅外延生长技术的限制，无法生长出优质的厚度小于2μm的薄硅外延层，使硅肖特基二极管的串联电阻无法降的更低，限制了其截止频率的提高。 现在，我们浙江大学硅材料国家重点实验室利用UHV／CVD技术，生长出亚微米厚的薄硅外延层，在此外延层上研制出高频肖特基二极管原型器件。 本文的主要工作如下： 1．首先，从理论上分析出高频肖特基二极管对材料的外延层厚度掺杂浓度的要求，以及其它的器件结构参数要求，以此为依据，设计出最佳的器件参数。 2．然后，根据器件的要求，利用UHV／CVD技术，生长出优质薄硅外延片，其厚度在0.4μm～1μm，掺杂浓度可任意调节，晶体质量良好。 3．最后，利用所生长的薄硅外延片，探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺，包括氧化工艺、光刻工艺、真空镀膜工艺等，制作出了高频肖特基二极管的原型器件。该器件理想因子n=3.2，正向导通电压为0.5V左右，反向击穿电压为16v。 目前该技术已申请专利。