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硅基薄膜具有制备成本低,工艺成熟、易集成、无毒,衬底选择性多等特点,已经成为工业生产的一个重要部分,在信息、能源等产业中正起着无可替代的作用,在集成电路,太阳能电池,光电探测器等方面有广泛的应用。本论文研究内容包括二部分：1、碳化硅基硅纳米晶薄膜(Si-NC:SiC)的制备工艺及机理；2、非晶硅薄膜基电阻存储器(RRAM)制备及特性等。本论文首先在绪论中全面介绍了全硅叠层高效太阳能电池和电阻存储器的概念、原理和研究现状。然后以提高纳米晶密度、控制硅纳米晶尺寸为目的,深入研究了热丝化学气相沉积技术(HWCVD)制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的工艺,分析了气体的比例和反应压强对纳米晶密度及尺寸的影响。利用X射线衍射,Raman散射,傅立叶红外变换,扫描电子显微镜等检测手段来表征薄膜特性。其次,利用HWCVD沉积非晶硅薄膜制备了Ag/a-Si/p-Si, Ag/a-Si/Au两种结构的电阻存储器并用Keithley4200-SCS测试仪研究其记忆电阻特性。研究结果表明：(1)增加气体比例和压强均能增加硅纳米晶的晶粒大小和晶化百分比。但增加反应压强时,晶化百分比增加率大于晶粒大小,说明成核密度提高。根据H稀释作用和气相反应特点得出增加反应压强能够制备较高密度的纳米硅晶。(2)测试结果表明,Ag/a-Si/p-Si, Ag/a-Si/Au两种结构都具有双向开关特性,具有较好的重复性；通过数据拟合研究开关机理,表明,Ag/a-Si/p-Si器件的导通是由金属银形成的导电通道和空间电荷限制电流(SCLC)机制共同作用的,而Ag/a-Si/Au器件导通是由于存在缺陷和陷阱引起的非细丝导电。