太赫兹作为近年来电磁波领域的新兴科学技术,吸引了大量科研工作者的关注,太赫兹源、太赫兹探测器、太赫兹调制器件等相关领域的研究进程得以不断推进。太赫兹吸收体也是重要探究方向之一。虽然有关太赫兹吸收体的研究工作已经具有一定的广度和深度,但由于缺乏可响应在太赫兹波段的材料,仍存在许多有待探索和发展的空间。本论文结合三维石墨烯结构和人工超材料,从理论计算,数值模拟和实验测量,提出几种新型太赫兹吸收体,具体可分为三个工作:(1)具有三维石墨烯结构的多孔材料吸收特性研究。横向对比具有三维石墨烯结构的多孔材料与金属多孔材料的吸收特性,发现三维石墨烯结构对多孔材料的太赫兹吸收特性具有增强作用。通过十四面体的单元结构模型的建立,从数值模拟上重现实验结论。同时,借助传输线模型的理论计算验证十四面体孔结构模型的合理性。从仿真上,预测三种实验所选多孔材料在太赫兹高频段的超宽带吸收能力。(2)基于热敏半导体的主动控制型太赫兹吸收体的设计和研究。利用多光束干涉理论,设计出超薄“三明治”结构的太赫兹吸收体。利用锑化铟中载流子浓度可受温度调制的特性,将具有超薄介质层的太赫兹吸收体升级为主动调制型太赫兹吸收体。在仿真软件中模拟该吸收体主动调制功能在倾斜多角度入射和不同偏振模式下的稳定响应。(3)基于光泵硅的主动控制型太赫兹超材料吸收体的设计和研究。利用光泵硅可由介质性转换为金属性的相移特性,结合传统超材料吸收体的结构,设计出一种可实现吸收“开-关”态的主动调制型太赫兹超材料吸收体。通过数值模拟可得:(1)提高泵浦光功率和适宜改变泵浦波长,可以实现对主动调制功能的增强。(2)金属谐振结构对泵光的遮挡会削弱该吸收体的吸收效果,但是通过增加硅中有效激发厚度可以减小这一削弱作用。(3)这种新型超材料吸收体在倾斜多角度入射和不同偏振模式下仍能保持良好的工作效果。