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本篇论文主要的研究对象是x波段中8.5~10.5GHz多功能MMIC,是有源相控阵雷达中的T/R组件的核心部件之一。笔者首先分析、总结了多功能MMIC利与弊、多功能MMIC的发展趋势;其次完成了多功能MMIC方案论证,最终确定运用Agilent ADS软件、GaAs材料、HEMT管芯以及TriQuint Semiconductor所提供的0.25μm xKu pHEMT 3MI Process来实现多功能MMIC,由于在短时间内未能获取0.25μm xKu pHEMT 3MI Process的PDK文件,所以笔者在本篇论文中,将选取与该工艺线相近的0.25μm GaAs HEMT DemoKit模型库作为替代品完成多功能MMIC设计;接着在完成对Demokit-HEMT开关特性(串联型、Single-HEMT、Twins-HEMT三种拓扑结构)研究的基础上,完成了多功能MMIC中主要组成部分:五位数字衰减器、五位数字移相器和微波小信号放大器的结构合理性验证;最后根据现有的相关研究成果,探索性的对GaAs MMIC空间辐射效应:空间辐射环境与空间辐射源;电离总剂量辐射效应、位移损伤效应、单粒子效应;半导体器件的抗辐射屏蔽加固技术做了一些粗浅的分析、总结。在附录中笔者调研了全球目前主要的Opening GaAs Foundry Service。