本论文采用化学还原法，利用硼氢化钠对氧化石墨烯进行还原处理，得到还原程度较低的石墨烯 P-GN，借助 FT-IR、XRD、UV-vis、Raman、元素分析对样品结构进行了表征。结果表明：制备了含有部分含氧官能团（-OH、-COOH等）的分散性比较好的石墨烯。通过溶液共混法制得了聚氨酯/石墨烯P-GN/WPU导电膜，并就P-GN的加入对 P-GN/WPU导电膜力学性能、耐水性、导电性的影响进行了研究，结果表明：与纯的水性聚氨酯膜相比，P-GN添加量为0.8wt％的时候，力学性能从29.6 MPa提高到37.4 MPa，提高了近30%，但P-GN的增加使P-GN/WPU导电膜的断裂伸长率有所降低。导电阈值石墨烯含量为1.2wt%，此后导电性能趋于稳定。在石墨烯的质量分数在1.6 wt%时，吸水率达到60.07%，涂膜溶胀程度最低。　　利用IPDI改性了上述石墨烯，并通过原位聚合法制备了复合水性聚氨酯导电膜I-GN/WPU，借助拉伸测试、高阻测试等手段，探讨了加入的改性石墨烯I-GN的含量对I-GN/WPU导电膜力学性能、耐水性、电学性能的影响。结果表明：IPDI成功的接枝到石墨烯上，以此为基础合成的I-GN/WPU导电膜拉伸强度略有提高，添加量为0.5wt%的时候，力学性能从29.6 MPa提高到33.3 MPa，并且断裂伸长率也增大。当I-GN含量为1wt%时I-GN/WPU体积电阻率达到1.65×108Ω·cm，与纯水性聚氨酯膜相比提高了3个数量级，此后的I-GN/WPU导电膜的电阻率基本不变。在I-GN的质量分数在1.5 wt%时，耐水性能最好，为44.02%，耐水性增大一倍以上，涂膜溶胀程度最低。与共混法制备的涂膜相比，原位聚合法方法制备的I-GN/WPU导电膜在力学性能上略降低，在耐水性和导电性方面有较大的改善。　　利用另一种绿色还原剂抗坏血酸（即Vc）对氧化石墨烯进行还原处理，得到还原效果比较好的石墨烯V-GN，借助FT-IR、XRD、UV-vis、Raman对样品结构进行了表征。结果表明：制备的V-GN仅含有少量的含氧官能团。通过溶液共混法制得了聚氨酯/石墨烯V-GN/WPU导电膜，并就石墨烯的加入对V-GN/WPU导电膜力学性能、耐水性、导电性的影响进行了研究。结果表明：溶液共混法合成 V-GN/WPU导电膜的拉伸强度略有提高，添加量为2wt%的时候，力学性能从29.6 MPa提高到38.2 MPa，但断裂伸长率有所减少，而 V-GN/WPU导电膜体积电阻率达到1.88×107Ω·cm，比纯水性聚氨酯膜增加了4个数量级，此后V-GN/WPU导电膜的电阻率基本不变。在 V-GN的质量分数增加到一定量后，耐水性基本不变，吸水率在81%左右，且溶胀程度降低，薄膜无明显变化。与前两种方法制备的导电膜相比，该方法制备的V-GN/WPU导电膜在力学性能和导电性方面有所提高，耐水性略有下降。