Si(110)衬底上镍硅化物形成研究

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fengying
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着CMOS集成电路制造技术持续向纳米级工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断的发展创新。最新的研究表明NiSi是一种具有较低电阻率、较小耗硅量和较低形成温度的硅化物,因此NiSi被认为是最有可能成为继TiSi2、Cosi2之后制备高性能CMOS SALICIDE工艺的优选材料。另外,随着CMOS器件尺寸的不断缩小,对增强载流子特别是空穴迁移率的需求更为迫切,而Si(110)晶面上空穴的迁移率较高,因此基于Si(110)衬底的CMOS制造技术越来越被人们所关注。超薄Ni膜在不同晶向Si衬底上的固相反应特性研究:研究了25nm Ni膜与Si(100)衬底和Si(110)衬底在退火温度从300℃到800℃温度范围的Ni/Si固相反应特性。通过薄层电阻Rs随退火温度的变化关系证明:在这两种晶向Si衬底上的薄层电阻具有类似的变化趋势与范围。但通过XRD扫描却发现与Si(100)在450℃就产生比较明显的NiSi峰不同,Si(110)直到550℃才产生比较明显的NiSi峰,由此可得出结论:Si(110)上NiSi相的生成比Si(100)上NiSi相的生成高了100℃。通过分析,我们判断,正是由于Si(110)与Si(100)晶格结构的不同,才导致了上述差异。由于尺寸大的晶粒在转换物相时需要更高的能量,因此在Si(110)衬底上NiSi相的生成温度也要求相对高一些。另外,10nm超薄Ni膜在Si(110)晶向衬底上在450℃的退火温度下NiSi相已经生成,这比25nmNi膜在Si(110)晶向衬底上生成NiSi相的退火温度低了100℃,可见,随着淀积的Ni膜的减薄,生成NiSi的反应激活能也得到了相应的降低。NiSi/Si (110)接触电学特性的研究::研究了超薄Ni膜经过二次退火后在不同晶向衬底上的I-V特性。研究表明由于Ni原子在Si(110)衬底上的快速扩散使得首先生成的富含Ni的镍硅化物晶粒尺寸较大,从而当富含Ni的Ni2Si进一步转变成NiSi相时导致了NiSi的晶粒尺寸也相应的较大,这种较大尺寸NiSi晶粒造成了Si(110)界面的粗糙,从而使得反向漏电流增大,因此,Si(110)晶向衬底上的I-V特性比Si(100)晶向衬底有所退化。
其他文献
近几十年来,随着各种电子设备和系统的广泛应用,电子电路的故障诊断理论和技术的研究也取得了许多的成果。但总的来说,绝大多数研究是在已知电路的原理图和功能结构这一前提
此文从透射电子显微镜着手,简要地介绍了透射电子显微镜的相关知识,然后系统地分析了影响透射电子显微镜分辨率的因素。通过分析发现,光源的单色性已成为提高现有透射电子显
薏苡解毒汤治疗盆腔炎25例分析阳正强(广西师范大学医院)关键词妇科;盆腔炎;中医治疗;薏苡解毒汤盆腔炎是妇科常见疾病,该病以湿热瘀滞型多见。笔者对1990年1月~1994年12月门诊患者25例用自拟薏苡解
行波管具有频带宽﹑增益高﹑动态范围大和噪声低的特点,已成为雷达﹑电子对抗﹑中继通信﹑卫星通信﹑电视直播卫星﹑导航﹑遥感﹑遥控﹑遥测等电子设备的重要微波电子器件。现在,行波管已占到所有
建设本质安全型供电企业是实现煤矿安全供电的必然选择。从综合自动化技术及新设备在变电站的应用,用更高电压等级的理念和标准来管理供电网络,优化供电系统运行方式、提高煤
现代电子应用的很多领域,为了提高或完善整机系统的性能,对电子设备的性能提出了越来越高的要求。对滤波器来说,要求体积更小、带宽更宽、稳定性更好。传统的石英晶体(Quartz
信息技术的迅猛发展,特别是互联网技术的普及应用,使得电子政务、电子商务成为当今信息化发展最重要的领域之一。网络上的信息安全是电子政务、电子商务健康持续发展的重要保
喷动床得到了在加工工业上应用。这里是些基本的设计方程式,为了需要并用诺模图来求解这些方程。喷动床是由于处理太粗的颗粒而不属于流化床技术。首先用来干燥物料例如谷物,
随着化石能源的过渡消耗以及其对环境带来的严重影响,风能凭借其清洁、可循环利用等诸多优点而越来越受到重视。叶片是风力发电机吸收风能的重要元件,本课题对小型风力发电机
TETRA (Terrestrial Trunked Radio,陆上集群无线电)系统是一种专用的数字无线通信系统,在指挥调度、紧急事件处理中得到了广泛应用。由于无线信道环境中无线电波的传输方式