为了应对更多的通讯标准和不断增长的带宽需求,现代无线通信系统的收发器中使用了大量的滤波器来处理日益增多的传输频段,作为滤波器基本单元的薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator,FBAR)具有广泛的应用市场。随着射频前端器件的大幅增多,用可调滤波器替换固定频率滤波器组是一种备受期待的方案。在FBAR的研究中,对谐振频率调谐特性的研究一直是重点。现有的调谐方案一般是基于电场、温度和磁场等外部条件的变化,但是在众多调谐方案中至今还没有一个能实现商业化。FBAR器件需要具备可控的调谐范围,调谐范围较小的可用于特定高精准谐振频率的器件,大调谐范围则被期望用于研究调谐滤波器。因此,可调谐FBAR具有很大的发展潜力和研究意义。本论文对可调谐FBAR开展了研究,具体内容如下:首先利用MEMS加工工艺,开发优化了FBAR器件的制备工艺,分析了FBAR的工作原理以及拓展了Al N压电薄膜的在柔性电子器件方面的应用。制备出FBAR的Q值为1387,中心频率为2.2528GHz;结合刻蚀工艺开发柔性Al N压电薄膜新型制备方法,获得FWHM为1.49°的Al N柔性压电薄膜,并在弯曲状态下保持良好的压电特性。接着利用FBAR器件对外界环境因素敏感的原理,研究了基于Al N的可调谐FBAR,主要是基于温度与电场两种调谐技术方案。基于温度调谐技术中,通过采用插入PSG温度调制层的方法,使得FBAR器件有可控的温度调谐规律,实现器件的频率温度系数(frequency temperature coefficient,TCF)从-37ppm/℃到+19.2ppm/℃的调制。并且进一步开发出双模FBAR温度传感器,可以提升传感器的温度灵敏度与抗干扰性,测试得到的温度灵敏度可达64.8k Hz/℃。基于电场的调谐技术中,分别研究了本征电调谐技术和非本征电调谐技术。在非本征电调谐技术中,对比分析了内、外置肖特基电容的结构设计,并进一步提出优化方案,通过MBVD模型仿真器件的调谐性能,可达3MHz/(MV/m)。本研究对于可调谐FBAR技术的应用与拓展具有一定的指导价值。