利用LB技术来构造纳米结构有序功能体系，以发展各种应用于高新技术领 域的新型高性能纳米结构材料，己成为LB技术发展的主要方向。为了研究膜结 构对其组装功能的影响，科学家近期对单分子膜凝聚及相变过程的研究倍加关 注，并取得了重要的进展。发展了各种高灵敏度的表面分析技术在位研究膜的结 构及其聚集过程。由于SERS技术研究表面界面结构灵敏度极高，提
该论文主要反映了对贵金属为基样品的光学性质研究,以及对CoMn和SiN/GdFe薄膜的磁光特性及其磁光增强机理进行研究的结果,具体内容包括:1.用离子束溅射方法制备了贵金属Au和A
由于经典信息对量子态的隐形传送必不可少,所以它不违背量子不可克隆定理,此外,经典信息传递速度不可能快于光速,因此量子隐形传态不违背相对论的光速量最大原理.该论文基于
在该论文中研究人员研究了倾斜磁场作用下的几个半导体结构,研究人员所做的工作主要有三部分:1、给出了倾斜磁场作用下三角势阱中经典粒子运动轨道的相空间截面图.2、刘波等
研究人员采用固相反应法制备了一系列YbC(x=1、2、3、4、5和6)和SmC(X=1、2、3、4、5和6)插入化合物,其反应温度比国外所报道的要低100℃.X射线衍射结果表明,暴露于空气中的Y
该文分四章分别讨论了半导体热电转换器和半导体制冷器的性能优化问题.在第一章中,简单地介绍了半导体热电器件的发展情况及其研究现状.在第二章中,建立了单级半导体制冷器的
金属镍(Ni)是一种硬而柔韧的银白色金属,原子序数为28,具有良好的的导热性和导电性,反射率高、制造成本低和易于制成大面积材料等特点。由于其a轴晶格常数为0.35288nm与氮化镓(Gallium nitride,GaN)的晶格常数较为接近,而成为GaN薄膜功能材料制备衬底的选择之一。二硼化锆(Zirconiumboride,Zr B_2)是一种半金属化合物,其属于六方晶系,具有诸多特性如高熔点、
该论文工作针对分子束外延生长的ZnCdSe/ZnSe非对称耦合量子阱结构,研究了其中的二阶非线性特性和声子振动性质及其产生机理.主要结果如下:1.采用荧光光谱技术研究了ZnCdSe/Z