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ZnO-TCO薄膜作为一种新型直带隙宽禁带(3.37e V)半导体材料,因其原料丰富、廉价、环保且性能稳定有望取代ITO和FTO应用于太阳能电池、平板显示、气敏传感器等光电器件领域,具有广阔的商业应用前景。而本征Zn O的导电性能极差,为获得光电性能较佳且性能稳定的Zn O薄膜,往往可以通过元素掺杂进行改善。近几年,国内外科研工作者在这方面取得了可喜的成绩。常用的p型掺杂元素有N、P、Li等,n型掺杂元素有Al、Ga、In等,目前,以Al掺杂的Zn O薄膜(AZO)研究较为成熟,光电性能最佳。相对而