一维纳米SnO2/TiO2复合薄膜电极的制备及光电性能研究

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【摘要】

：

近年来,由于对短波长发光器件的巨大市场需求,人们越来越关注于宽禁带半导体的研究,二氧化锡(Sn02)是一种典型的宽带隙(Eg =3.6eV,300K)的n型半导体材料,但是由于Sn02带隙比较宽,而导带位置较低,电子更难以激发,在此须选用带隙相对比较窄,而导带位置较高的半导体材料进行修饰。关于SnO2/TiO2复合体系已有报道,研究表明由于这两种半导体材料能级匹配,光生电子和空穴可以有效分离,复合

【作者】

：

化一宁

【机构】

：

北京化工大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

静电纺丝 SnO2/TiO2 复合薄膜光电性能

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